High-End-Chip: Snapdragon 8 Gen 3 soll früher erscheinen
Kaum trudeln die ersten Smartphones mit dem Snapdragon 8 Gen 2 ein, gibt es auch schon Gerüchte über den Nachfolger des schnellen Prozessors. Qualcomm brachte den auf einem 4-nm-Fertigungsprozess von TSMC basierenden 8-Gen-2-Chip im November des vergangenen Jahres heraus und wird vermutlich noch in diesem Jahr mit dem Snapdragon 8+ Gen 2 nachrücken.
Zur Diskussion steht auch der Snapdragon 8 Gen 3, der kommenden Smartphone-Generationen laut eines Weibo-Beitrags des bekannten Leakers Digital Chat Station bereits Ende Oktober bis Anfang November zur Verfügung stehen könnte.
Zum zweiten Mal früher als üblich?
Snapdragon by Qualcomm
Bild: Pixabay / Monoar_CGI_Artist
Bereits im Vorjahr fand der alljährliche Snapdragon Summit, bei dem Qualcomm üblicherweise seinen neuesten Spitzen-SoC vorstellt, zwei Wochen früher statt als sonst und rutschte somit vom traditionellen Dezember in den November.
Wird die Markteinführung des Snapdragon 8 Gen 3 in diesem Jahr noch weiter vorgezogen, könnte das auch den Launch-Termin einiger High-End-Smartphone-Serien beeinflussen. Der Qualcomm 8 Gen 2 kommt derzeit in Flaggschiffen wie der Samsung-Galaxy-S23-Serie oder im Xiaomi 13 zum Einsatz; der Nachfolge-Chip wäre dementsprechend eine Option für die Galaxy-S24-Serie oder das Xiaomi 14, das laut Digital Chat Station im vierten Quartal dieses Jahres in China vorgestellt werden soll.
Bis zu 20 Prozent energieeffizienter
Erreicht der Snapdragon 8 Gen 2 bereits eine Spitzenfrequenz von 3,2 GHz, übertaktet Samsung den Chip in seiner Galaxy-S23-Serie gar auf 3,36 GHz. Sein Sukzessor dürfte den bisherigen Erkenntnissen nach noch deutlich mehr leisten.
Offizielle Informationen zum Snapdragon 8 Gen 3 gibt es momentan zwar noch nicht. Laut bisher veröffentlichten Geekbench-Ergebnissen stemmt der Prozessor jedoch eine bis zu 25 Prozent höhere CPU-Leistung als bisher veröffentlichte Chips der Snapdragon-8-Serie. So erreichte der Snapdragon-8-Gen-3-for-Galaxy-Chip laut IT Home im Geekbench-Frühtest einen Single-Core-Score von 1930 und einen Multi-Core-Score von 6236.
Eine Steigerung der Energieeffizienz von bis zu 20 Prozent könnte dank eines N4P-Prozessknotens des Halbleiterherstellers TSMC und einer eher unkonventionellen 1-5-2-Kernkonfiguration erfolgen.
Dass Ihr Galaxy S22 oder Galaxy S21 neuerdings schneller an die Steckdose muss, könnte an One UI 5.1 liegen. Einzelheiten dazu erfahren Sie in einem anderen Artikel.