Samsung stellt integrierten 64-GB-NAND-Flashspeicher vor

Neuer NAND-Flashspeicher von Samsung
Logo: Samsung Samsung hat die Entwicklung eines integrierten Speichers (Embedded Memory) mit 64 GB NAND-Flash und hoher Leistungsfähigkeit bekannt gegeben. Der Speicher soll sich speziell für Smartphones, Tablet-Computer und andere mobile Geräte eignen. Die 64-GB-Embedded-MultimediaCard (e-MMC) soll laut Angaben von Samsung die momentan höchste Performance bei einer besonders geringen Bauhöhe bieten.

Neuer NAND-Flashspeicher von Samsung
Logo: Samsung Beim Standard der Embedded-MultimediaCard (e-MMC) handelt es sich um eine Zusammenarbeit zwischen der MultimediaCard Association (MMCA) und dem Halbleiter-Standardisierungsgremium JEDEC. Beide Organisationen entwickeln gemeinsam einen Standard für universell einsetzbare Embedded-Massenspeicher. Die eingebettete Speicherlösung integriert MultimediaCard-Interface, Flashspeicher und Controller in einem Bauelement, wobei das Speicherinterface mit 1,8 Volt und 3,3 Volt betrieben werden kann.

Samsung gibt die sequentielle Lesegeschwindigkeit der neuen Embedded-MultimediaCard mit bis zu 80 Megabyte pro Sekunde und die sequentielle Schreibgeschwindigkeit mit rund 40 Megabyte pro Sekunde an. Dies soll eine etwa dreifache Steigerung gegenüber bisherigen externen High-End Mobile-Memory-Cards sein, die derzeit mit sequentiellen Geschwindigkeiten von 24 Megabyte pro Sekunde (Lesen) beziehungsweise 12 Megabyte pro Sekunde aufwarten können. Der Speicher wird in einer Strukturbreite von 20-Nanometer gefertigt. Das Gewicht des Bauteils soll lediglich 0,6 Gramm betragen.