Intels neuer Chip: Noch schneller - und mit weniger Stromverbrauch

Eines der größten Probleme der aktuellen Chip-Entwicklung ist der zunehmende Stromverbrauch, insbesondere bei den Prozessoren. Daher hat man sich das Ziel gesetzt, in absehbarer Zeit auf einem Chip 25 mal mehr Schaltkreise mit dem zehnfachen Tempo wie heute zu betreiben - und dennoch nicht mehr Strom zu verbrauchen. Heute hat Intel per Pressemitteilung Details zu einer neuen Technologie veröffentlicht, die diesem Ziel in großen Schritten näher kommt. Diese lassen sich am besten anhand folgender Abbildung erläutern, die wir dem PDF-Paper zu der Presseerklärung von Intel entnommen haben:

Die erhöhten Source- und Drain-Kontakte, bzw. der insgesamt versenkte Transistor ermöglicht kürzere Ansprechzeiten. Die isolierende Oxidschicht unter dem Transistor verhindert sogenannte Leckströme, die sonst auch im ausgeschalteten Zustand zwischen Source und Drain fließen und dabei Energie verbrauchen. Sie hat aber noch weitere Vorteile. Zum Beispiel wird die Gefahr verringert, dass durch radioaktive Strahlen sogenannte parasitäre Thyristoren gezündet werden.

Vor allem aber befindet sich unter dem Gate nicht mehr Silizium-Dioxid, sondern ein anderes Dielektrikum, das sehr gut isoliert, aber gleichzeitig elektrische Felder ebenfalls sehr gut transportiert. Letzteres ermöglicht ein schnelles Schalten, ersteres verhindert wiederum Leckströme.

Bis es Geräte mit den von Intel angekündigten TeraHertz-Transistoren zu kaufen gibt, dürfte noch einige Zeit vergehen. Denn aus Labormustern werden nicht sofort anwendbare Chips. Erste Anwendungen könnten beispielsweise im Bereich der Transceiver für Glasfaserkabel sein. Dort müssen sehr hohe Datenraten (10 Gigabit/s, demnächst 40 Gigabit/s und mehr) mit ebenfalls sehr hoher Zuverlässigkeit verarbeitet werden.